X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心
欢迎来到西安科易网,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00257783]直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200610105332.1

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 西安理工大学

进入空间

所在地:陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明公开的直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法,对激光光束照射到熔体液面后反射的光斑图像进行采集,对采集到的图像通过Sobel算子提取图像边缘,再对边缘图像进行Hough变换和聚类得到激光光斑的中心位置图像,将该中心点与光电码盘的计数位置进行比较,从而得到光斑中心位置变化时相对应的液面高度变化值,进而可以根据光斑中心的变化得到液面位置的变化量,对多次计算的结果取平均可以得到比较准确的液面位置变化量。该检测方法简单、测量精度高。
摘要:本发明公开的直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法,对激光光束照射到熔体液面后反射的光斑图像进行采集,对采集到的图像通过Sobel算子提取图像边缘,再对边缘图像进行Hough变换和聚类得到激光光斑的中心位置图像,将该中心点与光电码盘的计数位置进行比较,从而得到光斑中心位置变化时相对应的液面高度变化值,进而可以根据光斑中心的变化得到液面位置的变化量,对多次计算的结果取平均可以得到比较准确的液面位置变化量。该检测方法简单、测量精度高。

推荐服务:

Copyright © 2016 科技大市场      All Rights Reserved      陕ICP备14011369号-1

主办单位:科易网  西安科技大市场      支持单位:西安市科技局  西安高新区

运营商:西安科易网

在线客服系统